 | • レポートコード：MRC-SE-49205 • 発行年月：2025年11月 • レポート形態：英文PDF • 納品方法：Eメール（納期：2～3日） • 産業分類：化学・材料 |
| 1名閲覧用（Single User） | お問い合わせフォーム（お見積・サンプル・質問） |
| 企業閲覧用（Corporate User） | お問い合わせフォーム（お見積・サンプル・質問） |
※下記記載のレポート概要・目次・セグメント項目・企業名などは最新情報ではない可能性がありますので、ご購入の前にサンプルを依頼してご確認ください。
レポート概要
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスは、広範な電力変換や高周波アプリケーションにおいて重要な役割を果たしています。GaNは、優れた電子移動度と高い耐圧特性を持ち、高温環境でも動作可能です。これにより、従来のシリコン半導体に比べて、より高い効率と性能を提供します。GaNは、特に電力エレクトロニクスやRFデバイスにおいて注目されています。
GaN半導体デバイスには、ディスクリートデバイスと集積回路（IC）の二つの主要な種類があります。ディスクリートデバイスは、主にパワーエレクトロニクスで使用され、スイッチング素子やダイオードなどがあります。これらは、電源アダプタやインバータ、モーター制御システムなどに利用されます。一方、GaN ICは、RF通信や無線データ伝送などに特化した集積回路で、高周波数帯域での動作に優れています。
GaNデバイスの特徴としては、高いスイッチング速度と低いオン抵抗が挙げられます。これにより、電力損失を大幅に削減し、高効率の電源システムを実現します。また、GaNは高い熱伝導率を持ち、冷却性能が向上するため、コンパクトな設計が可能です。これは、自動車、通信機器、再生可能エネルギーシステムなど、幅広い分野での応用を促進しています。
GaNの基板ウェーハは、デバイスの製造に不可欠な要素です。通常、サファイアやシリコンウェーハの上に成長させて製造されます。基板の選択は、デバイス性能やコストに大きな影響を与えるため、研究が進められています。特に、シリコン基板上のGaNデバイスは、コスト削減と生産性向上の観点から注目されています。
GaN技術に関連する技術としては、エピタキシャル成長技術やパッケージング技術があります。これらの技術は、GaNデバイスの性能を最大限に引き出すために重要であり、製造プロセスの最適化が求められています。また、GaNデバイスの信頼性向上や、長寿命化を目指す研究も進行中です。
今後、GaN技術は、電気自動車や5G通信、エネルギー効率の高い電力変換システムなどの分野での成長が期待されており、持続可能な社会に向けた重要な技術の一つとして位置付けられています。GaN半導体デバイスは、その特性と応用範囲の広さから、今後ますます重要な役割を果たすことでしょう。
当資料（Global Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Devices (Discrete & IC) and Substrate Wafer Market）は世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場の現状と今後の展望について調査・分析しました。世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場概要、主要企業の動向（売上、販売価格、市場シェア）、セグメント別市場規模、主要地域別市場規模、流通チャネル分析などの情報を掲載しています。
最新調査によると、世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場規模は2024年のxxx百万ドルから2025年にはxxx百万ドルになると推定され、今後5年間の年平均成長率はxx%と予想されます。
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場の種類別（By Type）のセグメントは、ディスクリート＆IC、基板ウェーハをカバーしており、用途別（By Application）のセグメントは、産業＆電力、通信インフラストラクチャをカバーしています。地域別セグメントは、北米、米国、カナダ、メキシコ、ヨーロッパ、ドイツ、イギリス、フランス、ロシア、アジア太平洋、日本、中国、インド、韓国、東南アジア、南米、中東、アフリカなどに区分して、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハの市場規模を調査しました。
当資料に含まれる主要企業は、Aixtron、Azzurro Semiconductors、Cree、…などがあり、各企業の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ販売状況、製品・事業概要、市場シェアなどを掲載しています。
【目次】
世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場概要（Global Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Devices (Discrete & IC) and Substrate Wafer Market）
主要企業の動向
– Aixtron社の企業概要・製品概要
– Aixtron社の販売量・売上・価格・市場シェア
– Aixtron社の事業動向
– Azzurro Semiconductors社の企業概要・製品概要
– Azzurro Semiconductors社の販売量・売上・価格・市場シェア
– Azzurro Semiconductors社の事業動向
– Cree社の企業概要・製品概要
– Cree社の販売量・売上・価格・市場シェア
– Cree社の事業動向
…
…
企業別売上及び市場シェア（～2024年）
世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場（2020年～2030年）
– 種類別セグメント：ディスクリート＆IC、基板ウェーハ
– 種類別市場規模（販売量・売上・価格）
– 用途別セグメント：産業＆電力、通信インフラストラクチャ
– 用途別市場規模（販売量・売上・価格）
主要地域における窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場規模
北米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場（2020年～2030年）
– 北米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場：種類別
– 北米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場：用途別
– 米国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場規模
– カナダの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場規模
– メキシコの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場規模
ヨーロッパの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場（2020年～2030年）
– ヨーロッパの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場：種類別
– ヨーロッパの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場：用途別
– ドイツの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場規模
– イギリスの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場規模
– フランスの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場規模
アジア太平洋の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場（2020年～2030年）
– アジア太平洋の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場：種類別
– アジア太平洋の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場：用途別
– 日本の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場規模
– 中国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場規模
– インドの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場規模
– 東南アジアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場規模
南米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場（2020年～2030年）
– 南米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場：種類別
– 南米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場：用途別
中東・アフリカの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場（2020年～2030年）
– 中東・アフリカの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場：種類別
– 中東・アフリカの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハ市場：用途別
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス（ディスクリート＆IC）及び基板ウェーハの流通チャネル分析
調査の結論