 | • レポートコード：MRC-SE-43019 • 発行年月：2025年11月 • レポート形態：英文PDF • 納品方法：Eメール（納期：2～3日） • 産業分類：Electronics & Semiconductor |
| 1名閲覧用（Single User） | お問い合わせフォーム（お見積・サンプル・質問） |
| 企業閲覧用（Corporate User） | お問い合わせフォーム（お見積・サンプル・質問） |
※下記記載のレポート概要・目次・セグメント項目・企業名などは最新情報ではない可能性がありますので、ご購入の前にサンプルを依頼してご確認ください。
レポート概要
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスは、高効率で高出力の電子デバイスとして注目されています。GaNは、広帯域ギャップ半導体の一種であり、約3.4 eVのバンドギャップを持つため、高温や高電圧環境でも優れた性能を発揮します。この特性により、GaNはパワーエレクトロニクスや無線通信、光デバイスなど多岐にわたる用途で利用されています。
GaNの特徴としては、まず、その高い電子移動度があります。これにより、より高いスイッチング速度を実現し、効率的な電力変換が可能です。また、GaNは熱的安定性にも優れており、高温動作を要求されるアプリケーションに適しています。さらに、GaNデバイスは小型化が可能で、同等のシリコンデバイスに比べてより小さく、軽量な設計が実現できます。
GaN半導体デバイスには、主にトランジスタ、ダイオード、LEDなどの種類があります。特に、GaNベースのHEMT（高電子移動度トランジスタ）は、高周波数および高電圧アプリケーションにおいて非常に高い性能を示すため、通信インフラやレーダーシステムにおいて多く使用されています。また、GaNダイオードは、高速スイッチングが求められるパワーコンバータやインバータに利用されることが多いです。そして、GaNのLEDは、効率的な青色光源として普及しており、ディスプレイや照明の分野で重要な役割を果たしています。
GaNデバイスの用途は広がり続けています。電力変換装置、電気自動車の充電器、再生可能エネルギーシステム、無線通信機器など、さまざまな分野でその優れた性能が活かされています。特に、エネルギー効率の向上が求められる現代において、GaN技術は持続可能なエネルギーソリューションの一翼を担っています。
GaN基板ウェーハは、GaNデバイスの製造において重要な役割を果たします。これらのウェーハは、通常、サファイアやシリコン炭化物（SiC）基板上に成長させられます。サファイア基板はコストが低いものの、熱伝導性が低いため、デバイスの性能に限界をもたらすことがあります。一方、SiC基板は優れた熱伝導性を持ち、高出力デバイスに適していますが、コストが高くなる傾向があります。
関連技術としては、GaN成長技術やパッケージング技術が挙げられます。特に、MOCVD（金属有機化学気相成長法）などの成長技術は、GaNデバイスの高品質な結晶成長に不可欠です。また、デバイスの性能を最大限に引き出すためには、熱管理や電気的特性を最適化するための新しいパッケージング技術も重要です。
このように、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスは、次世代の電子デバイスとしての可能性を秘めており、その研究開発は今後も進展していくでしょう。
当資料（Global Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Devices and Substrate Wafer Market）は世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場の現状と今後の展望について調査・分析しました。世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場概要、主要企業の動向（売上、販売価格、市場シェア）、セグメント別市場規模、主要地域別市場規模、流通チャネル分析などの情報を掲載しています。
最新調査によると、世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場規模は2024年のxxx百万ドルから2025年にはxxx百万ドルになると推定され、今後5年間の年平均成長率はxx%と予想されます。
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場の種類別（By Type）のセグメントは、分離型・IC、基板ウェーハ、その他をカバーしており、用途別（By Application）のセグメントは、工業・電力、通信インフラ、その他をカバーしています。地域別セグメントは、北米、米国、カナダ、メキシコ、ヨーロッパ、ドイツ、イギリス、フランス、ロシア、アジア太平洋、日本、中国、インド、韓国、東南アジア、南米、中東、アフリカなどに区分して、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハの市場規模を調査しました。
当資料に含まれる主要企業は、Aixtron、Azzurro Semiconductors、Cree、…などがあり、各企業の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ販売状況、製品・事業概要、市場シェアなどを掲載しています。
【目次】
世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場概要（Global Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Devices and Substrate Wafer Market）
主要企業の動向
– Aixtron社の企業概要・製品概要
– Aixtron社の販売量・売上・価格・市場シェア
– Aixtron社の事業動向
– Azzurro Semiconductors社の企業概要・製品概要
– Azzurro Semiconductors社の販売量・売上・価格・市場シェア
– Azzurro Semiconductors社の事業動向
– Cree社の企業概要・製品概要
– Cree社の販売量・売上・価格・市場シェア
– Cree社の事業動向
…
…
企業別売上及び市場シェア（～2024年）
世界の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場（2020年～2030年）
– 種類別セグメント：分離型・IC、基板ウェーハ、その他
– 種類別市場規模（販売量・売上・価格）
– 用途別セグメント：工業・電力、通信インフラ、その他
– 用途別市場規模（販売量・売上・価格）
主要地域における窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場規模
北米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場（2020年～2030年）
– 北米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場：種類別
– 北米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場：用途別
– 米国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場規模
– カナダの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場規模
– メキシコの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場規模
ヨーロッパの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場（2020年～2030年）
– ヨーロッパの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場：種類別
– ヨーロッパの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場：用途別
– ドイツの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場規模
– イギリスの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場規模
– フランスの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場規模
アジア太平洋の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場（2020年～2030年）
– アジア太平洋の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場：種類別
– アジア太平洋の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場：用途別
– 日本の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場規模
– 中国の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場規模
– インドの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場規模
– 東南アジアの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場規模
南米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場（2020年～2030年）
– 南米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場：種類別
– 南米の窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場：用途別
中東・アフリカの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場（2020年～2030年）
– 中東・アフリカの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場：種類別
– 中東・アフリカの窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハ市場：用途別
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス・基板ウェーハの流通チャネル分析
調査の結論